رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRFC024NB
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRFC024NB-DG
وصف:
MOSFET 55V 17A DIE
وصف تفصيلي:
55 V 17A Surface Mount Die
المخزون:
12954491
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRFC024NB المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
-
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
55 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
17A
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
75mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
-
Vgs (ماكس)
-
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
-
درجة حرارة التشغيل
-
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
Die
العبوة / العلبة
Die
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1
اسماء اخرى
448-IRFC024NB
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
OBSOLETE
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NTBGS3D5N06C
POWER MOSFET, 60 V, 3.7 M?, 127A
IRF9610PBF-BE3
MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB
TK10A50W,S5X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
