رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRFC230NB
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRFC230NB-DG
وصف:
MOSFET 200V 9.3A DIE
وصف تفصيلي:
200 V 9.3A Surface Mount Die
المخزون:
12954354
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRFC230NB المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
-
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
9.3A
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
-
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
300mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
-
Vgs (ماكس)
-
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
-
درجة حرارة التشغيل
-
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
Die
العبوة / العلبة
Die
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1
اسماء اخرى
448-IRFC230NB
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
OBSOLETE
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SI4401DY-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
CP775-CWDM3011P-CM
MOSFET P-CH 30V 11A DIE
SI5418DU-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK
