رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRFH4201TRPBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRFH4201TRPBF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 25V 49A 8PQFN
وصف تفصيلي:
N-Channel 25 V 49A (Ta) 3.5W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
المخزون:
12806266
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRFH4201TRPBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
25 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
49A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
0.95mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.1V @ 150µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
94 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
6100 pF @ 13 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.5W (Ta), 156W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-PQFN (5x6)
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
SP001551886
IRFH4201TRPBFDKR
IRFH4201TRPBFTR
IRFH4201TRPBFCT
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
CSD17573Q5B
المُصنِّع
Texas Instruments
الكمية المتاحة
1748
DiGi رقم الجزء
CSD17573Q5B-DG
سعر الوحدة
0.56
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
CSD17573Q5BT
المُصنِّع
Texas Instruments
الكمية المتاحة
3742
DiGi رقم الجزء
CSD17573Q5BT-DG
سعر الوحدة
0.83
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF7807Z
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
IRLML2402GTRPBF
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23-3
IRLR3705ZTRPBF
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK