رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRFHM9391TRPBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRFHM9391TRPBF-DG
وصف:
MOSFET P-CH 30V 11A 8PQFN
وصف تفصيلي:
P-Channel 30 V 11A (Ta) 2.6W (Ta) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
المخزون:
12805168
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRFHM9391TRPBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
11A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
14.6mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.4V @ 25µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1543 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.6W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
IRFHM9391TRPBFTR
IRFHM9391TRPBFDKR
IRFHM9391TRPBFCT
IRFHM9391TRPBF-DG
SP001570882
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
RQ3E100MNTB1
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
5261
DiGi رقم الجزء
RQ3E100MNTB1-DG
سعر الوحدة
0.40
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
RQ3E080BNTB
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
40431
DiGi رقم الجزء
RQ3E080BNTB-DG
سعر الوحدة
0.10
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF6608TR1
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
IRF3710ZSTRRPBF
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
IPP60R199CPXKSA1
MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3