رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRFP4110PBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRFP4110PBF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 120A TO247AC
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-247AC
المخزون:
3922 قطع جديدة أصلية في المخزون
12818336
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRFP4110PBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
120A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
210 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
9620 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
370W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247AC
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
IRFP4110
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
25
اسماء اخرى
AUXUSFP4110-DG
SP001556724
AUXUSFP4110
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
CSD13306WT
MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
CSD17322Q5A
MOSFET N-CH 30V 87A 8VSON
CSD17555Q5A
MOSFET N-CH 30V 24A/100A 8VSON
