الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRFR12N25DPBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRFR12N25DPBF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 250 V 14A (Tc) 144W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12804567
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRFR12N25DPBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
250 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
14A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
260mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
810 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
144W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA (DPAK)
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
IRFR12N25DPBF
ورقة بيانات HTML
IRFR12N25DPBF-DG
موارد التصميم
IRFR12N25D Saber Model
معلومات إضافية
الباقة القياسية
75
اسماء اخرى
*IRFR12N25DPBF
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FQD16N25CTM
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
33677
DiGi رقم الجزء
FQD16N25CTM-DG
سعر الوحدة
0.40
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
RCD080N25TL
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
5359
DiGi رقم الجزء
RCD080N25TL-DG
سعر الوحدة
0.63
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STD17NF25
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
4357
DiGi رقم الجزء
STD17NF25-DG
سعر الوحدة
0.57
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STD16NF25
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
4196
DiGi رقم الجزء
STD16NF25-DG
سعر الوحدة
0.73
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFS7534TRLPBF
MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
IRF7452
MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SO
IRFH7191TRPBF
MOSFET N-CH 100V 15A/80A PQFN
IRFR2905ZTRRPBF
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK