رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRFR3303TRR
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRFR3303TRR-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 33A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
المخزون:
12805221
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRFR3303TRR المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
33A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
31mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
750 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
57W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA (DPAK)
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NTD20N03L27T4G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
2487
DiGi رقم الجزء
NTD20N03L27T4G-DG
سعر الوحدة
0.53
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IPD30N03S2L20ATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
5035
DiGi رقم الجزء
IPD30N03S2L20ATMA1-DG
سعر الوحدة
0.34
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF7832Z
MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
IPP039N04LGXKSA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
IRFH4210DTRPBF
MOSFET N-CH 25V 44A PQFN