رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRFR3418TRLPBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRFR3418TRLPBF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 80V 70A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 80 V 70A (Tc) 3.8W (Ta), 140W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
المخزون:
12823203
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRFR3418TRLPBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
80 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
70A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
14mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
94 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3510 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.8W (Ta), 140W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA (DPAK)
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
موارد التصميم
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
AOD2816
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
AOD2816-DG
سعر الوحدة
0.31
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IRFR3710ZTRLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
14092
DiGi رقم الجزء
IRFR3710ZTRLPBF-DG
سعر الوحدة
0.86
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PHB95NQ04LT,118
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
IPW60R070P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 53.5A TO247-3
IXTQ160N10T
MOSFET N-CH 100V 160A TO3P
