الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRFR3709ZTRRPBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRFR3709ZTRRPBF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 86A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12822985
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRFR3709ZTRRPBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
86A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.25V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
26 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2330 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
79W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA (DPAK)
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
IRF(R,U)3709ZPbF
مخططات البيانات
IRFR3709ZTRRPBF
ورقة بيانات HTML
IRFR3709ZTRRPBF-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
2156-IRFR3709ZTRRPBF-448
SP001578152
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFR3709ZTRLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
5910
DiGi رقم الجزء
IRFR3709ZTRLPBF-DG
سعر الوحدة
0.30
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
DMN3009SK3-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
817
DiGi رقم الجزء
DMN3009SK3-13-DG
سعر الوحدة
0.17
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IRFR3709ZTRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
11441
DiGi رقم الجزء
IRFR3709ZTRPBF-DG
سعر الوحدة
0.30
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
IPD50N03S2L06ATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
2378
DiGi رقم الجزء
IPD50N03S2L06ATMA1-DG
سعر الوحدة
0.66
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STD95N4LF3
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
7752
DiGi رقم الجزء
STD95N4LF3-DG
سعر الوحدة
0.72
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF3710ZLPBF
MOSFET N-CH 100V 59A TO262
IRFHS8242TR2PBF
MOSFET N-CH 25V 9.9A PQFN
IRFR3711ZTR
MOSFET N-CH 20V 93A DPAK
IPP80N06S407AKSA1
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3