IRFS3307PBF
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

IRFS3307PBF

Product Overview

المُصنّع:

Infineon Technologies

رقم الجزء DiGi Electronics:

IRFS3307PBF-DG

وصف:

MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 75 V 120A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount D2PAK

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12804891
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

IRFS3307PBF المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
75 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
120A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6.3mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 150µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5150 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
200W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
D2PAK
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
IRFB3307, IRFS(L)3307
مخططات البيانات
IRFS3307PBF
ورقة بيانات HTML
IRFS3307PBF-DG

معلومات إضافية

الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
SP001557274

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
SQM120N06-06_GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
SQM120N06-06_GE3-DG
سعر الوحدة
1.24
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STB150NF55T4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
969
DiGi رقم الجزء
STB150NF55T4-DG
سعر الوحدة
1.68
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
PSMN6R5-80BS,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
4297
DiGi رقم الجزء
PSMN6R5-80BS,118-DG
سعر الوحدة
0.95
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
FDB5800
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
460
DiGi رقم الجزء
FDB5800-DG
سعر الوحدة
1.27
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STB140NF75T4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1648
DiGi رقم الجزء
STB140NF75T4-DG
سعر الوحدة
1.68
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
infineon-technologies

IPL60R185CFD7AUMA1

MOSFET N-CH 600V 14A 4VSON

infineon-technologies

IRF2805PBF

MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

infineon-technologies

IRF7402TR

MOSFET N-CH 20V 6.8A 8SO

infineon-technologies

IPW60R041P6FKSA1

MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3