IRFS33N15D
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

IRFS33N15D

Product Overview

المُصنّع:

Infineon Technologies

رقم الجزء DiGi Electronics:

IRFS33N15D-DG

وصف:

MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 150 V 33A (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) Surface Mount D2PAK

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12823356
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

IRFS33N15D المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
150 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
33A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
56mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2020 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.8W (Ta), 170W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
D2PAK
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
IRFB, IRFS(L)33N15D

معلومات إضافية

الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
*IRFS33N15D

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
infineon-technologies

IRL1404ZSPBF

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

infineon-technologies

IRFB7545PBF

MOSFET N-CH 60V 95A TO220

littelfuse

IXFT40N30Q

MOSFET N-CH 300V 40A TO268

littelfuse

IXFK24N100Q3

MOSFET N-CH 1000V 24A TO264AA