رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRFS4127PBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRFS4127PBF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 200 V 72A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK
المخزون:
12806235
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRFS4127PBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Discontinued at Digi-Key
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
72A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
22mOhm @ 44A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5380 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
375W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
D2PAK
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
64-2140PBF-DG
64-2140PBF
SP001550144
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
PSMN057-200B,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
10239
DiGi رقم الجزء
PSMN057-200B,118-DG
سعر الوحدة
1.12
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STB80N20M5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STB80N20M5-DG
سعر الوحدة
3.31
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STB75NF20
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STB75NF20-DG
سعر الوحدة
2.66
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SPB100N06S2L-05
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
IRF1104S
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
IRFR2605
MOSFET N-CH 55V 19A D-PAK
