رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRFS4321TRRPBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRFS4321TRRPBF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 150V 85A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 150 V 85A (Tc) 350W (Tc) Surface Mount D2PAK
المخزون:
12803077
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRFS4321TRRPBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
150 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
85A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
15mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4460 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
350W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
D2PAK
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IRFS4321
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
IRFS4321TRRPBF-DG
448-IRFS4321TRRPBFTR
SP001565026
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FDB2532
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
3812
DiGi رقم الجزء
FDB2532-DG
سعر الوحدة
1.94
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
PHB45NQ15T,118
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
15790
DiGi رقم الجزء
PHB45NQ15T,118-DG
سعر الوحدة
0.77
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF7524D1PBF
MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8
IPW60R099CPAFKSA1
MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3
IPT029N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 52A/169A HSOF-8
