رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRFS7730PBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRFS7730PBF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 75 V 195A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263AB (D2PAK)
المخزون:
12817329
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRFS7730PBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®, StrongIRFET™
حالة المنتج
Discontinued at Digi-Key
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
75 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
195A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.7V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
407 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
13660 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
375W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263AB (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
2156-IRFS7730PBFINF
SP001571682
INFINFIRFS7730PBF
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFS4115TRLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
18254
DiGi رقم الجزء
IRFS4115TRLPBF-DG
سعر الوحدة
1.86
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPW60R190E6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3
IRFH5006TRPBF
MOSFET N-CH 60V 21A/100A 8PQFN
CSD18503Q5A
MOSFET N-CH 40V 19A/100A 8VSON
