رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRFSL4310PBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRFSL4310PBF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 130A TO262
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 130A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-262
المخزون:
12804809
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRFSL4310PBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
130A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
7mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
250 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
7670 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
300W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-262
العبوة / العلبة
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
SP001550204
AUXCLFSL4310
AUXCLFSL4310-DG
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
AOW482
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
AOW482-DG
سعر الوحدة
0.99
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFPS3815PBF
MOSFET N-CH 150V 105A SUPER247
IRF3305
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
IRF7420PBF
MOSFET P-CH 12V 11.5A 8SO