رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRFSL7437PBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRFSL7437PBF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 40V 195A TO262
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 195A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-262
المخزون:
2743 قطع جديدة أصلية في المخزون
12804838
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRFSL7437PBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
HEXFET®, StrongIRFET™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
195A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.8mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.9V @ 150µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
225 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
7330 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
230W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-262
العبوة / العلبة
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
رقم المنتج الأساسي
IRFSL7437
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
INFIRFIRFSL7437PBF
2156-IRFSL7437PBFINF
SP001578458
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPD60R280P7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
IRFR3411TRPBF
MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
IPZ40N04S5L2R8ATMA1
MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
