رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRFSL7530PBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRFSL7530PBF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 195A TO262
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 195A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-262
المخزون:
12805266
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRFSL7530PBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®, StrongIRFET™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
195A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.7V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
411 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
13703 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
375W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-262
العبوة / العلبة
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
رقم المنتج الأساسي
IRFSL7530
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
SP001565198
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPI024N06N3GXKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IPI024N06N3GXKSA1-DG
سعر الوحدة
1.35
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
PSMN2R0-60ES,127
المُصنِّع
NXP Semiconductors
الكمية المتاحة
7334
DiGi رقم الجزء
PSMN2R0-60ES,127-DG
سعر الوحدة
1.30
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPD40DP06NMATMA1
MOSFET P-CH 60V 4.3A TO252-3
IRLR8113TR
MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
IRFH8337TR2PBF
MOSFET N-CH 30V 9.7A 5X6 PQFN