رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRFU220N
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRFU220N-DG
وصف:
MOSFET N-CH 200V 5A IPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 200 V 5A (Tc) 43W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
المخزون:
12806068
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRFU220N المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
600mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
300 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
43W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
IPAK (TO-251AA)
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
75
اسماء اخرى
SP001568188
*IRFU220N
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFU220NPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
2099
DiGi رقم الجزء
IRFU220NPBF-DG
سعر الوحدة
0.36
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRL520NSPBF
MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK
IPL60R125C7AUMA1
MOSFET N-CH 600V 17A 4VSON
IPP120N06S403AKSA1
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
