IRFU3708
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

IRFU3708

Product Overview

المُصنّع:

Infineon Technologies

رقم الجزء DiGi Electronics:

IRFU3708-DG

وصف:

MOSFET N-CH 30V 61A IPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 61A (Tc) 87W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)

المخزون:

12805803
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

IRFU3708 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
61A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.8V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
12.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
24 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±12V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2417 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
87W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
IPAK (TO-251AA)
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
موارد التصميم

معلومات إضافية

الباقة القياسية
75
اسماء اخرى
*IRFU3708

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
infineon-technologies

IPP023N08N5AKSA1

MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3

infineon-technologies

IPW65R190E6FKSA1

MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247-3

infineon-technologies

IRFP260NPBF

MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC

infineon-technologies

IRFS7440PBF

MOSFET N CH 40V 120A D2PAK