رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRFU3709
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRFU3709-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 90A IPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 90A (Tc) 120W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
المخزون:
12804536
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRFU3709 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
90A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
9mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
41 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2672 pF @ 16 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
120W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
IPAK (TO-251AA)
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
75
اسماء اخرى
*IRFU3709
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPW65R110CFDFKSA2
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3
IPD78CN10NGBUMA1
MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3
IRF3415L
MOSFET N-CH 150V 43A TO262