رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRL3303S
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRL3303S-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 38A (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount D2PAK
المخزون:
12807910
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRL3303S المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
38A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
26mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
26 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±16V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
870 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.8W (Ta), 68W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
D2PAK
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
موارد التصميم
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
*IRL3303S
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SPD02N50C3BTMA1
LOW POWER_LEGACY
IRLR8103TR
MOSFET N-CH 30V 89A DPAK
SPP04N50C3HKSA1
MOSFET N-CH 560V 4.5A TO220-3