رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRL3714Z
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRL3714Z-DG
وصف:
MOSFET N-CH 20V 36A TO220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 20 V 36A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220AB
المخزون:
12806602
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRL3714Z المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
36A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
16mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.55V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
7.2 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
550 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
35W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220AB
العبوة / العلبة
TO-220-3
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
موارد التصميم
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
*IRL3714Z
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF630NSTRLPBF
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
SPP08N80C3XK
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
SPD04N60C3
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252-3
