IRL3716PBF
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

IRL3716PBF

Product Overview

المُصنّع:

Infineon Technologies

رقم الجزء DiGi Electronics:

IRL3716PBF-DG

وصف:

MOSFET N-CH 20V 180A TO220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 20 V 180A (Tc) 210W (Tc) Through Hole TO-220AB

المخزون:

12806137
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

IRL3716PBF المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
180A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
79 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5090 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
210W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220AB
العبوة / العلبة
TO-220-3

مواصفات تقنية ومستندات

مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
*IRL3716PBF
SP001558646

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
infineon-technologies

IRLZ44NL

MOSFET N-CH 55V 47A TO262

infineon-technologies

IRLZ44NSTRLPBF

MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK

infineon-technologies

IRL3302

MOSFET N-CH 20V 39A TO220AB

infineon-technologies

IRF6637TR1PBF

MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET