رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRL60S216
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRL60S216-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 195A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
المخزون:
12806624
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRL60S216 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®, StrongIRFET™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
195A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.95mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
255 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
15330 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
375W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO263-3
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IRL60S216
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
IRL60S216CT
INFINFIRL60S216
SP001573906
2156-IRL60S216
IRL60S216DKR
IRL60S216TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPB019N06L3GATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
7726
DiGi رقم الجزء
IPB019N06L3GATMA1-DG
سعر الوحدة
1.57
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF6727MTR1PBF
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
IRF6717MTRPBF
MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET
SPP15P10P
MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3
