رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRL6372TRPBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRL6372TRPBF-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 8.1A 2W Surface Mount 8-SO
المخزون:
13964 قطع جديدة أصلية في المخزون
12808963
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRL6372TRPBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8.1A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.1V @ 10µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
11nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1020pF @ 25V
الطاقة - الحد الأقصى
2W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SO
رقم المنتج الأساسي
IRL6372
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
IRL6372TRPBFDKR
IRL6372TRPBFTR
IRL6372TRPBFCT
SP001569038
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF5852TR
MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6TSOP
IRF40H233XTMA1
MOSFET 2N-CH 40V 8TDSON
IRF7106
MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8SO
