الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRLL024NPBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRLL024NPBF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
وصف تفصيلي:
N-Channel 55 V 3.1A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12807271
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRLL024NPBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Discontinued at Digi-Key
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
55 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.1A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
65mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
15.6 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±16V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
510 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-223
العبوة / العلبة
TO-261-4, TO-261AA
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
IRLL024NPbF
مخططات البيانات
IRLL024NPBF
ورقة بيانات HTML
IRLL024NPBF-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
80
اسماء اخرى
SP001550452
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
ZXMN6A11GTA
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
1669
DiGi رقم الجزء
ZXMN6A11GTA-DG
سعر الوحدة
0.22
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
NTF3055-100T1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
950
DiGi رقم الجزء
NTF3055-100T1G-DG
سعر الوحدة
0.31
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
DMN6068SE-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
18062
DiGi رقم الجزء
DMN6068SE-13-DG
سعر الوحدة
0.16
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STN3NF06L
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
11330
DiGi رقم الجزء
STN3NF06L-DG
سعر الوحدة
0.35
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SPA20N60C3XKSA1
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-31
SPD30N03S2L-07
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
IRFR825PBF
MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
SPP15P10PLHXKSA1
MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3