رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRLML5103TRPBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRLML5103TRPBF-DG
وصف:
MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23
وصف تفصيلي:
P-Channel 30 V 760mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
المخزون:
31074 قطع جديدة أصلية في المخزون
12805695
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRLML5103TRPBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
760mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
600mOhm @ 600mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
5.1 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
75 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
540mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
Micro3™/SOT-23
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
IRLML5103
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
موارد التصميم
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
IRLML5103GTRPBFTR
IRLML5103PBFCT
IRLML5103GTRPBFDKR-DG
IRLML5103GTRPBFCT
IRLML5103GTRPBFDKR
SP001568594
IRLML5103GTRPBF
SP001572946
*IRLML5103TRPBF
IRLML5103PBFDKR
IRLML5103PBFTR
IRLML5103GTRPBFCT-DG
IRLML5103GTRPBF-DG
IRLML5103GTRPBFTR-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF7807D2TR
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
IRFS7437TRLPBF
MOSFET N CH 40V 195A D2PAK
IRLR3410TRLPBF
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK