الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRLML6401GTRPBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRLML6401GTRPBF-DG
وصف:
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3
وصف تفصيلي:
P-Channel 12 V 4.3A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12822968
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRLML6401GTRPBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
12 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.3A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.8V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
950mV @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
15 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
830 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.3W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
Micro3™/SOT-23
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
IRLML6401GPbF
مخططات البيانات
IRLML6401GTRPBF
ورقة بيانات HTML
IRLML6401GTRPBF-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
IRLML6401GTRPBF-DG
IRLML6401GTRPBFCTINACTIVE
SP001568584
IRLML6401GTRPBFDKRINACTIVE
IRLML6401GTRPBFCT
IRLML6401GTRPBFDKR
IRLML6401GTRPBFTR
IRLML6401GTRPBFTRINACTIVE
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
PJA3415AE_R1_00001
المُصنِّع
Panjit International Inc.
الكمية المتاحة
32375
DiGi رقم الجزء
PJA3415AE_R1_00001-DG
سعر الوحدة
0.07
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IRLML6401TRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
40009
DiGi رقم الجزء
IRLML6401TRPBF-DG
سعر الوحدة
0.09
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXTP3N120
MOSFET N-CH 1200V 3A TO220AB
IRLML2803TRPBF
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23
IRFB4321GPBF
MOSFET N-CH 150V 83A TO220AB
IRF1010ZLPBF
MOSFET N-CH 55V 75A TO262