رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRLR3717TRLPBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRLR3717TRLPBF-DG
وصف:
MOSFET N-CH 20V 120A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 20 V 120A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
المخزون:
12806046
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRLR3717TRLPBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
120A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.45V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
31 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2830 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
89W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA (DPAK)
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
6,000
اسماء اخرى
SP001567384
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STD86N3LH5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
9946
DiGi رقم الجزء
STD86N3LH5-DG
سعر الوحدة
0.50
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STD17NF03LT4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
3239
DiGi رقم الجزء
STD17NF03LT4-DG
سعر الوحدة
0.34
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
AOD424
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
62191
DiGi رقم الجزء
AOD424-DG
سعر الوحدة
0.27
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRL3502
MOSFET N-CH 20V 110A TO220AB
IRF7842TR
MOSFET N-CH 40V 18A 8SO
IRL2703SPBF
MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK
