رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
ISP25DP06LMSATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
ISP25DP06LMSATMA1-DG
وصف:
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
وصف تفصيلي:
P-Channel 60 V 1.9A (Ta) 1.8W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
المخزون:
12805577
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
ISP25DP06LMSATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1.9A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
250mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 270µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
13.9 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
420 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.8W (Ta), 5W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-SOT223
العبوة / العلبة
TO-261-4, TO-261AA
رقم المنتج الأساسي
ISP25DP06
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
SP004987240
ISP25DP06LMSATMA1-DG
448-ISP25DP06LMSATMA1CT
448-ISP25DP06LMSATMA1DKR
448-ISP25DP06LMSATMA1TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
ISP25DP06LMXTSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
1297
DiGi رقم الجزء
ISP25DP06LMXTSA1-DG
سعر الوحدة
0.28
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF7523D1TRPBF
MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8
IPA90R500C3XKSA1
MOSFET N-CH 900V 11A TO220-FP
IRFS4010PBF
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
