رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SIPC10N65C3X1SA2
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
SIPC10N65C3X1SA2-DG
وصف:
MOSFET
وصف تفصيلي:
المخزون:
12807801
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SIPC10N65C3X1SA2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
-
التقنية
-
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
-
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
-
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
-
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
-
Vgs (ماكس)
-
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
-
درجة حرارة التشغيل
-
نوع التركيب
-
حزمة جهاز المورد
-
العبوة / العلبة
-
رقم المنتج الأساسي
SIPC10
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1
اسماء اخرى
SP001611950
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SPD30N03S2L10GBTMA1
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
SPP80N08S2L-07
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
SI3443DV
MOSFET P-CH 20V 4.4A MICRO6
