رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SPA17N80C3XKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
SPA17N80C3XKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 17A (Tc) 42W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
المخزون:
500 قطع جديدة أصلية في المخزون
12807538
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SPA17N80C3XKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
CoolMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
17A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
290mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.9V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
177 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2320 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
42W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO220-3-31
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
SPA17N80
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
SPA1-ND7N80C3XKSA1
SP000216353
SPA17N80C3XKSA1-DG
SPA17N80C3
SPA17N80C3X
SPA1-DG7N80C3XKSA1-DG
SPA17N80C3IN-DG
SPA17N80C3XK
448-SPA17N80C3XKSA1
SPA17N80C3IN
SPA17N80C3XTIN-DG
SPA17N80C3XTIN
SPA17N80C3IN-NDR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SPB21N50C3ATMA1
MOSFET N-CH 560V 21A TO263-3
SPB10N10
MOSFET N-CH 100V 10.3A TO263-3
IRLL014NTRPBF
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223