رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SPB21N10T
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
SPB21N10T-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 21A TO263-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 21A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
المخزون:
12806450
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SPB21N10T المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
SIPMOS®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
21A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
80mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 44µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
38.4 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
865 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
90W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO263-3-2
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
SPB21N
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
SP000013626
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STB30NF10T4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
971
DiGi رقم الجزء
STB30NF10T4-DG
سعر الوحدة
0.66
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRL6342TRPBF
MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SO
IRFP4468PBF
MOSFET N-CH 100V 195A TO247AC
IRLR8113TRLPBF
MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
