الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SPD03N60S5BTMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
SPD03N60S5BTMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 3.2A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12807977
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SPD03N60S5BTMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
CoolMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.2A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.4Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5.5V @ 135µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
420 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
38W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO252-3-11
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
SPD03N
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
SP(U,D)03N60S5
مخططات البيانات
SPD03N60S5BTMA1
ورقة بيانات HTML
SPD03N60S5BTMA1-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
SPD03N60S5INDKR
SPD03N60S5INTR
SPD03N60S5BTMA1CT
SPD03N60S5XT
SPD03N60S5-DG
SPD03N60S5INCT-DG
SP000083076
SP000307393
2156-SPD03N60S5BTMA1-ITTR-DG
2156-SPD03N60S5BTMA1
SPD03N60S5BTMA1TR
SPD03N60S5INCT
SPD03N60S5INTR-DG
SPD03N60S5
IFEINFSPD03N60S5BTMA1
SPD03N60S5INDKR-DG
SPD03N60S5BTMA1DKR
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFRC20TRPBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
5703
DiGi رقم الجزء
IRFRC20TRPBF-DG
سعر الوحدة
0.44
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STD7N60M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
14171
DiGi رقم الجزء
STD7N60M2-DG
سعر الوحدة
0.50
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STD6N62K3
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
196
DiGi رقم الجزء
STD6N62K3-DG
سعر الوحدة
0.76
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STD6N60M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STD6N60M2-DG
سعر الوحدة
0.50
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IRFRC20PBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
6897
DiGi رقم الجزء
IRFRC20PBF-DG
سعر الوحدة
0.43
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SPD01N60C3BTMA1
MOSFET N-CH 650V 800MA TO252-3
SPI20N60C3XKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO262-3
SPW20N60CFDFKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO247-3
SIPC14N50C3X1SA2
TRANSISTOR N-CH