رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SPD04N50C3ATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
SPD04N50C3ATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO252-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 4.5A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
المخزون:
7723 قطع جديدة أصلية في المخزون
12807454
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SPD04N50C3ATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
CoolMOS™
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
950mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.9V @ 200µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
470 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
50W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO252-3
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
SPD04N50
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
SP001117762
INFINFSPD04N50C3ATMA1
SPD04N50C3ATMA1CT
SPD04N50C3ATMA1TR
SPD04N50C3ATMA1DKR
SPD04N50C3ATMA1-DG
2156-SPD04N50C3ATMA1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STD12N50M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1001
DiGi رقم الجزء
STD12N50M2-DG
سعر الوحدة
0.55
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SPU02N60S5BKMA1
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO251-3
SIPC08N60C3X1SA1
TRANSISTOR N-CH
SIPC14N60C3X1SA1
TRANSISTOR N-CH
