رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SPD04P10PGBTMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
SPD04P10PGBTMA1-DG
وصف:
MOSFET P-CH 100V 4A TO252-3
وصف تفصيلي:
P-Channel 100 V 4A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
المخزون:
22468 قطع جديدة أصلية في المخزون
12808557
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SPD04P10PGBTMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
SIPMOS®
حالة المنتج
Last Time Buy
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1Ohm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 380µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
319 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
38W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO252-3
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
SPD04P10
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
SP000212230
2156-SPD04P10PGBTMA1
IFEINFSPD04P10PGBTMA1
SPD04P10P G
448-SPD04P10PGBTMA1DKR
SPD04P10P G-DG
SPD04P10PGBTMA1TR
SPD04P10PGBTMA1TR-DG
448-SPD04P10PGBTMA1TR
448-SPD04P10PGBTMA1CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SPD04P10PLGBTMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
SPD04P10PLGBTMA1-DG
سعر الوحدة
0.29
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF7807VTRPBF
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO
IRLH6224TRPBF
MOSFET N-CH 20V 28A/105A 8PQFN
IPI70N10S3L12AKSA1
MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3