رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SPD09P06PLGBTMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
SPD09P06PLGBTMA1-DG
وصف:
MOSFET P-CH 60V 9.7A TO252-3
وصف تفصيلي:
P-Channel 60 V 9.7A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
المخزون:
6724 قطع جديدة أصلية في المخزون
12862821
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SPD09P06PLGBTMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
SIPMOS®
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
9.7A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
250mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
450 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
42W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO252-3
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
SPD09P06
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
SPD09P06PLG
SPD09P06PL GCT-DG
SPD09P06PL G-DG
SPD09P06PL GDKR-DG
SPD09P06PL GCT
SPD09P06PL G
SPD09P06PL GTR-DG
SPD09P06PL GDKR
SP000443928
SPD09P06PLGBTMA1CT
SPD09P06PLGBTMA1TR
SPD09P06PLGBTMA1DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RQK0607AQDQS#H1
MOSFET N-CH 60V 2.4A UPAK
RJK5026DPP-E0#T2
MOSFET N-CH 500V 6A TO220FP
RJK0651DPB-00#J5
MOSFET N-CH 60V 25A LFPAK
