رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SPD15P10PGBTMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
SPD15P10PGBTMA1-DG
وصف:
MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
وصف تفصيلي:
P-Channel 100 V 15A (Tc) 128W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
المخزون:
4670 قطع جديدة أصلية في المخزون
12807076
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SPD15P10PGBTMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
SIPMOS®
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
15A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
240mOhm @ 10.6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.1V @ 1.54mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1280 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
128W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO252-3
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
SPD15P10
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
SPD15P10P G-DG
SPD15P10P G
SPD15P10PGBTMA1CT
SPD15P10PGBTMA1TR
SPD15P10PGBTMA1DKR
SP000212233
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF7834
MOSFET N-CH 30V 19A 8SO
SPB80P06P
MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3
IRLML6401TRPBF
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
