رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SPD15P10PLGBTMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
SPD15P10PLGBTMA1-DG
وصف:
MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
وصف تفصيلي:
P-Channel 100 V 15A (Tc) 128W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
المخزون:
7981 قطع جديدة أصلية في المخزون
12816727
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SPD15P10PLGBTMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
SIPMOS®
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
15A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
200mOhm @ 11.3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 1.54mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1490 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
128W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO252-3
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
SPD15P10
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
SPD15P10PLGBTMA1DKR
SPD15P10PLGBTMA1CT
SPD15P10PL GDKR
SP000317393
SPD15P10PL G
SPD15P10PL GCT
SPD15P10PLGBTMA1TR
SPD15P10PL G-DG
SPD15P10PL GTR-DG
SPD15P10PL GTR
SPD15P10PL GDKR-DG
SPD15P10PL GCT-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
CSD16403Q5A
MOSFET N-CH 25V 28A/100A 8VSON
IPS60R3K4CEAKMA1
CONSUMER
TP0610K-T1
MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3