رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SPD30N08S2-22
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
SPD30N08S2-22-DG
وصف:
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 75 V 30A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
المخزون:
12807151
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SPD30N08S2-22 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
75 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
30A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
21.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 80µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1950 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
136W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO252-3-11
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
SPD30N
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
SPD30N08S222T
2156-SPD30N08S2-22
SP000013153
2156-SPD30N08S2-22-ITTR-DG
INFINFSPD30N08S2-22
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPD30N08S222ATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
1773
DiGi رقم الجزء
IPD30N08S222ATMA1-DG
سعر الوحدة
0.61
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STD45NF75T4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
16447
DiGi رقم الجزء
STD45NF75T4-DG
سعر الوحدة
0.74
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSS84-HF
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
IRL2203NSTRRPBF
MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
IRLR4343PBF
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
