رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SPD50P03LGBTMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
SPD50P03LGBTMA1-DG
وصف:
MOSFET P-CH 30V 50A TO252-5
وصف تفصيلي:
P-Channel 30 V 50A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-5
المخزون:
12806383
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SPD50P03LGBTMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
50A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
7mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
126 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
6880 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
150W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO252-5
العبوة / العلبة
TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab), TO-252AD
رقم المنتج الأساسي
SPD50P03
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
SPD50P03LGINDKR-DG
INFINFSPD50P03LGBTMA1
SPD50P03LGBTMA1DKR
SPD50P03LGINTR-DG
SPD50P03LGINDKR
SPD50P03LGINCT-DG
2156-SPD50P03LGBTMA1
SP000371908
SPD50P03L G
SPD50P03LGINTR
SPD50P03L G-DG
SPD50P03LGBTMA1CT
SPD50P03LGBTMA1TR
SPD50P03LGINCT
SPD50P03LG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SPD02N80C3BTMA1
MOSFET N-CH 800V 2A TO252-3
SPP20N60C3XKSA1
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3
IRLB4030PBF
MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB
