رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SPI08N50C3XKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
SPI08N50C3XKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 560V 7.6A TO262-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 560 V 7.6A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
المخزون:
12807358
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SPI08N50C3XKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
CoolMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
560 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7.6A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
600mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.9V @ 350µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
750 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
83W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO262-3-1
العبوة / العلبة
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
رقم المنتج الأساسي
SPI08N
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
SPI08N50C3
SPI08N50C3IN-DG
IFEINFSPI08N50C3XKSA1
SPI08N50C3-DG
SPI08N50C3IN
2156-SPI08N50C3XKSA1-IT
SP000680984
SPI08N50C3XK
SPI08N50C3X
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFSL9N60APBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
900
DiGi رقم الجزء
IRFSL9N60APBF-DG
سعر الوحدة
1.21
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRLU8113PBF
MOSFET N-CH 30V 94A I-PAK
IRLL024NTRPBF
MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
IRF1010NSTRRPBF
MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
