رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SPI21N10
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
SPI21N10-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 21A TO262-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 21A (Tc) 90W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
المخزون:
12807112
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SPI21N10 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
SIPMOS®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
21A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
80mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 44µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
38.4 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
865 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
90W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO262-3-1
العبوة / العلبة
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
رقم المنتج الأساسي
SPI21N
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
IFEINFSPI21N10
SPI21N10IN
2156-SPI21N10-IT
SPI21N10XK
SPI21N10X
SP000013843
SPI21N10-DG
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRF540ZLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
862
DiGi رقم الجزء
IRF540ZLPBF-DG
سعر الوحدة
0.53
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IRF540NLPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
5178
DiGi رقم الجزء
IRF540NLPBF-DG
سعر الوحدة
0.63
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SPD50N03S2L06GBTMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
IRLU9343PBF
MOSFET P-CH 55V 20A I-PAK
IRL2505PBF
MOSFET N-CH 55V 104A TO220AB
