رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SPI80N10L
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
SPI80N10L-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 250W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
المخزون:
13064307
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SPI80N10L المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
SIPMOS®
التغليف
Tube
حالة الجزء
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
80A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
14mOhm @ 58A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 2mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4540 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
250W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO262-3-1
العبوة / العلبة
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
رقم المنتج الأساسي
SPI80N
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
SP000014351
SPI80N10LX
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STD80N10F7
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
2500
DiGi رقم الجزء
STD80N10F7-DG
سعر الوحدة
0.69
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRLZ24NSPBF
MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
SPB18P06PGATMA1
MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
SPD07N60C3ATMA1
LOW POWER_LEGACY
