رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SPP02N60S5HKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
SPP02N60S5HKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 1.8A (Tc) 25W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
المخزون:
12807465
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SPP02N60S5HKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
CoolMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1.8A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5.5V @ 80µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
9.5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
240 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
25W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO220-3-1
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
SPP02N
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
SPP02N60S5IN
SPP02N60S5XK
SPP02N60S5X
SPP02N60S5-DG
SPP02N60S5
SP000012390
SP000681016
SPP02N60S5IN-DG
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRL3716S
MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
IRLL2705TR
MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
IRLR3110ZTRPBF
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK