رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SPP10N10
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
SPP10N10-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 10.3A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 10.3A (Tc) 50W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
المخزون:
12806489
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SPP10N10 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
SIPMOS®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
10.3A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
170mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 21µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
19.4 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
426 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
50W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO220-3-1
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
SPP10N
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
INFINFSPP10N10
2156-SPP10N10-IT
SPP10N10X
SP000013844
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRF540ZPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
41160
DiGi رقم الجزء
IRF540ZPBF-DG
سعر الوحدة
0.46
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IRL530PBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
10171
DiGi رقم الجزء
IRL530PBF-DG
سعر الوحدة
0.56
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPW60R045CPFKSA1
MOSFET N-CH 650V 60A TO247-3
IRLR2905ZPBF
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
SPS02N60C3
MOSFET N-CH 650V 1.8A TO251-3
