الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SPP15N60CFDHKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
SPP15N60CFDHKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 13.4A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 13.4A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12808203
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SPP15N60CFDHKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
CoolMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
13.4A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
330mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 750µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1820 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
156W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO220-3-1
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
SPP15N
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
SPP15N60CFD
مخططات البيانات
SPP15N60CFDHKSA1
ورقة بيانات HTML
SPP15N60CFDHKSA1-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
SPP15N60CFD-DG
SPP15N60CFD
SP000264425
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STP13N60M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
971
DiGi رقم الجزء
STP13N60M2-DG
سعر الوحدة
0.76
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IRF830APBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
5605
DiGi رقم الجزء
IRF830APBF-DG
سعر الوحدة
0.59
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STP13NM60ND
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
87
DiGi رقم الجزء
STP13NM60ND-DG
سعر الوحدة
1.64
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
AOT11S60L
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
1100
DiGi رقم الجزء
AOT11S60L-DG
سعر الوحدة
0.93
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IRFBC30APBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
1483
DiGi رقم الجزء
IRFBC30APBF-DG
سعر الوحدة
1.19
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SPP100N04S2L-03
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
SPB42N03S2L-13
MOSFET N-CH 30V 42A TO263-3
SPB47N10
MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
IPD50R520CP
MOSFET N-CH 500V 7.1A TO252-3