رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SPP20N65C3XKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
SPP20N65C3XKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 20.7A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
المخزون:
462 قطع جديدة أصلية في المخزون
12806750
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SPP20N65C3XKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
CoolMOS™
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
20.7A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
190mOhm @ 13.1A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.9V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
114 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2400 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
208W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
SPP20N65
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
SP000681064
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXFP22N65X2
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXFP22N65X2-DG
سعر الوحدة
2.43
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
SPW20N60C3FKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
2123
DiGi رقم الجزء
SPW20N60C3FKSA1-DG
سعر الوحدة
2.91
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SPD50N03S207GBTMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
SPI07N60C3XKSA1
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO262-3
IRF1310NSTRRPBF
MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
