رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SPP21N50C3XKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
SPP21N50C3XKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 21A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 21A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
المخزون:
2469 قطع جديدة أصلية في المخزون
12808074
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SPP21N50C3XKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
CoolMOS™
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
21A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
190mOhm @ 13.1A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.9V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2400 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
208W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO220-3-1
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
SPP21N50
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
SPP21N50C3XKSA1-DG
SP000681066
448-SPP21N50C3XKSA1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STP40N60M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1000
DiGi رقم الجزء
STP40N60M2-DG
سعر الوحدة
2.86
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SPU11N10
MOSFET N-CH 100V 10.5A TO251-3
SPS04N60C3BKMA1
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO251-3
SPP100N04S2-04
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
