رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
SPP73N03S2L08XK
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
SPP73N03S2L08XK-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 73A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 73A (Tc) 107W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
المخزون:
12806431
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
SPP73N03S2L08XK المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
73A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
8.4mOhm @ 36A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 55µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
46.2 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1710 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
107W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO220-3-1
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
SPP73N
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
SP000013465
SPP73N03S2L-08
SPP73N03S2L-08IN-DG
SPP73N03S2L-08IN
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRLB8743PBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
2204
DiGi رقم الجزء
IRLB8743PBF-DG
سعر الوحدة
0.52
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFR12N25DTRRP
MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
IPP80N04S306AKSA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
IPI80N04S404AKSA1
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
